Вчені запропонували замінити флеш-пам’ять терабайтним накопичувачем

Американські вчені з Каліфорнійського університету стали авторами технології принципово нових накопичувачів для мобільних пристроїв (смартфонів, ноутбуків, планшетів або цифрових фотокамер).

Основу технології становить використання резистивної пам’яті, при цьому з’являється можливість зробити комірки пам’яті дуже невеликими за розміром. Завдяки впровадженню нового принципу дії фахівці зможуть створювати накопичувачі більшого об’єму порівняно з можливостями флеш-пам’яті, яка зараз вважається стандартом у накопиченні та зберіганні даних.

Об’єм інформації, що зберігатиметься на накопичувачі нового типу, вимірюватиметься в терабайтах, а не в гігабайтах, як прийнято нині. Тому зовсім скоро принцип дії флешки вивчатимуть хіба що в школах на уроках новітньої історії, а самі пристрої займуть своє місце в найдальшій шухляді письмового стола поряд з непотрібними дискетами.

Найголовнішим моментом нової технології стала розробка нано-”острівців”, виготовлених з оксиду цинку та розміщених на основі з кремнію. Резистивна пам’ять матиме метал-оксид-металеву структуру.

Нові накопичувачі стануть більш надійними під час використання, ніж звичайні флешки. Як стверджують виробники, середній термін зберігання інформації на флешці становить не більше 7-8 років, після чого пристрій краще замінити на новий. Крім того, інформацію, записану на флешці, краще дублювати на іншому носії, адже дані можуть бути втрачені внаслідок впливу на пристрій несприятливих факторів: дії магнітного поля, вологи, високих або надто низьких температур повітря. Ризик знищення інформації під час її зберігання на терабайтному носії буде зведений до мінімуму, тому користувач може не хвилюватись з приводу її можливої втрати.

Поділитися новиною з друзями в соціальних мережах:



Залишити коментар